重點
- 日經225指數周四急挫，失守67,000點，日本股市回吐前兩個交易日升幅。
- 半導體及科技股領跌，市場重新評估亞洲AI（人工智能）概念股估值（即股價相對盈利、資產等是否偏貴）。
- SoftBank Group、東京電子（Tokyo Electron）、愛德萬測試（Advantest）、Kioxia及藤倉（Fujikura）等受壓。
- 中東緊張局勢及油價上升加劇通脹憂慮，抵消美國PPI（生產者物價指數，用作衡量出廠/批發層面物價）的放緩帶來的利好。
- 日線圖顯示初步阻力在67,000點附近；短線支持先看66,444點。
日經225指數周四急挫，半導體及科技股再現拋售，拖累日本股市。
指數跌穿67,000點，回吐前兩個交易日升幅；雖然隔晚華爾街氣氛偏正面，但亞洲科技股普遍回調，市場質疑AI帶動的升市能否繼續支撐偏高估值。
跌勢令日經靠近近期區間（即一段時間內反覆上落的價格範圍）下沿，晶片相關股份及指數權重股（對指數影響較大的成份股）成為主要拖累。
市場關注原因
日經225主要受三個因素左右：半導體轉弱、AI估值疑慮、地緣政治風險。
日本科技股此前受惠於AI、數據中心（data centres，提供運算與儲存的伺服器機房）及先進晶片需求。經歷急升後，板塊更易出現獲利回吐（即先前買入的投資者沽貨鎖定利潤）及估值調整。
半導體相關股份跌幅顯著。SoftBank Group、東京電子、愛德萬測試、Kioxia及藤倉均受壓，拋售亦擴散至其他亞洲晶片股。
同時，中東局勢升溫令油價維持高位。能源價格上升或令通脹憂慮再度升溫，令利率前景更不明朗，並削弱對風險資產（例如股票等較受市場情緒影響的資產）的需求。
晶片股領跌
跌勢主要來自日本科技及半導體股。
東京電子及愛德萬測試下跌，晶片設備股（為晶片製造提供機器與零件的公司）跟隨區內沽壓；Kioxia及藤倉亦下滑。SoftBank Group作為指數權重股之一，進一步拖累大市。
市場亦關注ASML最新消息，焦點包括AI相關需求、設備定價，以及半導體資本開支（capital spending，即企業用於廠房、設備等投資的支出）力度。雖然ASML股價在業績前上升，市場憧憬銷售改善，但整體反應反映投資者在板塊急升後變得更挑剔。
這一變化重要，因日本股市近年更受AI與半導體周期（cycle，即行業景氣由擴張到收縮的循環）牽動；晶片股轉弱時，即使其他板塊相對抗跌，日經亦可能受壓。
市場正觀察晶片企業業績能否重建對AI投資擴張（buildout，即相關硬件與基建持續投入）的信心。若管理層指引（guidance，即公司對未來業績/需求的展望）理想，有望穩定情緒；若言論保守，回調或加深。
車股限制跌幅
車股在一定程度上限制大市跌幅。
豐田及本田在交易時段上升，受日圓轉弱及出口股需求支持。日圓偏弱有利海外收入換算回日圓後的數字表現。
不過，車股升幅不足以抵消科技、金融及半導體相關股份下跌。
美元兌日圓於162日圓低位區間上落，匯市變動仍是出口股焦點。日圓再跌或支持部分出口股，但亦會推高入口成本及能源成本，對日本構成壓力。
中東風險加壓
地緣政治風險令市場保持審慎。
美伊緊張局勢令油價高企，亦引發市場憂慮霍爾木茲海峽（Strait of Hormuz，全球重要原油運輸航道）能源供應。日本高度依賴進口能源，若油價長期偏強，企業及消費者成本或上升。
油價上升亦可能令通脹預期（市場對未來物價的看法）維持偏高；即使美國PPI較溫和，降低了短期對聯儲局加息的憂慮，利好仍受限制。
對日經而言，環境偏拉鋸：美國通脹數據放緩或稍為紓緩利率壓力，但油價帶來的通脹風險及科技股沽壓仍在。
關鍵交易位
| 水平 | 市場焦點 |
| 70,000 | 若動能改善，可望挑戰的心理關口（投資者特別關注的整數位） |
| 69,200 | 近期反彈阻力區 |
| 68,800 | 次級阻力 |
| 67,800 | 最新交易日高位區 |
| 67,000 | 首個反彈參考位／心理關口 |
| 66,524 | 現水平附近 |
| 66,444 | 最新交易日低位／即市支持 |
| 66,000 | 現區間下方的心理支持 |
| 65,200 | 近期波段低位（swing-low，即一段升跌中的較低轉向位） |
| 64,800 | 更下方參考位 |
日經225日線圖顯示，指數在約66,524點附近交易，開市約67,567點；最新高位約67,787點，低位約66,444點。
指數未能企穩67,000點後仍受壓，該水平現為首個短線反彈觀察位。
若重上67,000點，下一步或測試67,800點；進一步轉強需升穿67,800點，其後關注68,800及69,200點。
下行方面，66,444點為首個支持。若失守，或下試66,000點。
偏好與偏淡情景
| 情景 | 觸發條件 | 可能市場反應 |
| 嘗試企穩 | 守住66,444點 | 沽壓後或進入整固（即窄幅上落） |
| 偏好反彈 | 重上67,000點 | 或再試67,800點 |
| 反彈延伸 | 升穿67,800點 | 焦點或轉向68,800點 |
| 更強突破 | 日線收市高於69,200點 | 70,000點或再成焦點 |
| 偏淡延續 | 跌穿66,444點 | 或再試66,000點 |
| 進一步下破 | 跌穿66,000點 | 或下試65,200及64,800點 |
偏好反彈需要日經225重上並守住67,000點，反映急跌後沽壓開始緩和。
若確認升穿67,800點，反彈形態（setup，即可供交易部署的走勢條件）會更清晰，目標或轉向68,800點；若買盤再突破69,200點，下一個主要阻力或為70,000點心理關口。
中性情景是66,444至67,800點之間整固，市場等待晶片股、油價、美國利率預期及亞洲風險情緒（市場對高風險資產的偏好）更明確信號。
偏淡情景在跌穿66,444點後轉強；若確認下破，或下試66,000點，其後為65,200及64,800點。
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