Micron Technology (MU) a effacé ses pertes initiales lundi, après avoir cédé jusqu’à 9,6 % dans la première heure avant de terminer en hausse de 0,9 % à 1 142 $. Ce mouvement est intervenu alors que le NASDAQ Composite gagnait plus de 2 %, contribuant à soutenir les valeurs des semi-conducteurs après une phase de faiblesse liée aux « Magnificent 7 ». La pression observée plus tôt faisait suite aux annonces de Samsung Electronics et de SK Hynix concernant de nouvelles capacités de production, ainsi qu’à l’apparition d’une action collective alléguant une entente sur les prix de la DRAM impliquant Micron, Samsung et SK Hynix.
Déposée jeudi 25 juin devant un tribunal fédéral californien, la plainte affirme que les trois entreprises ont restreint l’offre de DRAM pendant le boom de l’IA et évoque une hausse des prix de 500 % à 700 % sur quatre ans. Par ailleurs, la Corée du Sud a présenté un plan d’expansion public-privé de 518 Md$ dans les semi-conducteurs, Samsung et SK Hynix prévoyant chacun deux usines (fabs) dans le sud-ouest du pays. Jefferies anticipe une hausse des prix de la mémoire de 40 % à 50 % au trimestre prochain, puis de 30 % à 40 % au trimestre suivant. Micron a touché 1 023 $ en séance, soit une variation de plus de 10 % de la capitalisation boursière ; les niveaux techniques cités incluent 960-1 000 $, 818 $, et un potentiel mouvement au-delà de 1 400 $. Les points de repère mentionnés incluent les 1er mai, 19 mai, 9 juin et 24 juin.
Signaux techniques et dynamique du marché des options
Nous considérons l’ampleux retournement intraday de 10 % observé hier sur Micron comme un signal technique significatif. Le titre a trouvé un solide support sur sa borne basse de tendance, comme cela s’est produit à plusieurs reprises depuis mai. Cela suggère que les acheteurs sur repli restent très actifs et que la tendance haussière immédiate demeure intacte.
Le marché intègre des mouvements amples, ce qui est idéal pour les opérateurs sur options. La volatilité implicite à 30 jours des options sur Micron a bondi au-delà de 65 %, contre une moyenne de 40 % le mois dernier. Nous y voyons une opportunité de négocier les variations de prix attendues plutôt que la seule direction.
À court terme, nous estimons que la trajectoire reste orientée à la hausse, compte tenu d’une tension extrême de l’offre sur le marché de la mémoire. Des rapports récents de TrendForce confirment que la demande de puces HBM, cruciales pour les serveurs d’IA, devrait croître de 150 % sur un an, confortant les prévisions de hausses des prix de la mémoire à court terme de 40 % ou plus. Dans ce contexte, l’achat d’options d’achat (calls) arrivant à échéance dans les trois à six prochains mois apparaît comme une stratégie attrayante pour capter le mouvement attendu vers l’objectif de cours de 1 400 $.
Changements de cycle de l’offre et risques de long terme
Cependant, il faut se préparer à un retournement de cycle. L’annonce de quatre nouvelles fabs en Corée du Sud constitue un avertissement clair d’une forte augmentation de l’offre d’ici quelques années. Nous gardons en mémoire le précédent supercycle de la mémoire en 2017-2018, qui avait été suivi d’un effondrement de près de 80 % des prix de la DRAM l’année suivante ; en conséquence, nous achetons des options de vente (puts) de maturité 2028 comme couverture.
La plainte pour fixation des prix représente également un risque de long terme sérieux que le marché semble actuellement sous-estimer. Ce n’est pas la première fois que le secteur fait face à ce type d’allégations : une affaire majeure au début des années 2000 avait abouti à plus de 730 M$ d’amendes pour les principaux acteurs. Tout signe indiquant que cette nouvelle procédure prend de l’ampleur devrait être interprété comme un signal visant à renforcer les positions baissières.
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