美光科技（MU）周一逆转早盘跌势，股价在开盘后一小时内一度下挫最高达9.6%，随后反弹并最终收涨0.9%，报1,142美元。此次走势发生在纳斯达克综合指数上涨逾2%的背景下，该指数的走强在“七巨头”（Magnificent 7）相关疲弱拖累后，带动半导体板块回暖。此前的抛压源于三星电子与SK海力士宣布新增产能，以及一宗集体诉讼的出现；该诉讼指控美光、三星与SK海力士参与DRAM价格操纵（固定价格）行为。
该诉讼于6月25日（周四）在加州联邦法院提起，指称三家公司在AI热潮期间限制DRAM供给，并援引DRAM价格在四年内上涨500%至700%作为依据。另据消息，韩国提出规模达5,180亿美元的政企联合半导体扩张计划，三星与SK海力士分别计划在该国西南部各建设两座晶圆厂（fabs）。Jefferies预计存储器价格在下一季度可能上涨40%-50%，并在随后一个季度再上涨30%-40%。美光盘中最低触及1,023美元，对应市值波动超过10%；市场提及的关键技术位包括960-1,000美元区间、818美元，以及可能上攻至1,400美元上方；参考时间点包括5月1日、5月19日、6月9日与6月24日。
Technical Signals and Options Market Dynamics
我们将昨日美光盘中高达10%的V型反转视为重要技术信号。股价在下方趋势线附近获得强支撑，与5月以来多次表现一致。这表明逢低买盘仍然非常活跃，短线向上趋势仍保持完好。
市场正在为大幅波动定价，这对期权交易者而言十分理想。美光期权30日隐含波动率已飙升至65%以上，较上月约40%的均值显著抬升。我们认为，这为交易预期价格波动（而非仅押注方向）提供了机会。
短期内，我们认为在存储器市场供给极度偏紧的背景下，上行路径更为明确。TrendForce最新报告显示，AI服务器关键部件HBM芯片需求预计同比增长150%，支持近期存储器价格上调40%或以上的预期。因此，买入未来3至6个月到期的看涨期权（call）是一种具吸引力的策略，可用于捕捉股价朝1,400美元目标位上行的潜在行情。
Supply Cycle Shifts and Long-Term Risks
不过，我们也必须为周期反转做准备。韩国新增四座晶圆厂的计划，是未来数年供给大幅增加的明确预警。我们仍记得上一轮存储器超级周期（2017-2018年）之后的一年内，DRAM价格曾出现接近80%的大幅下跌，因此我们通过买入2028年到期的长期看跌期权（put）进行对冲。
价格操纵诉讼同样构成市场当前可能忽视的重大长期风险。这并非行业首次面临此类指控：2000年代初的一起重大案件曾导致主要厂商合计被处以逾7.3亿美元罚款。若出现迹象表明本次新诉讼正在获得实质性推进，应被视为增加看空仓位的信号。
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