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美光大幅收窄早盘跌幅,诉讼与韩国扩产计划冲击存储器周期前景

by VT Markets
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Jun 30, 2026

美光科技(MU)周一收复早盘跌幅。该股在首小时一度下挫多达9.6%,随后反弹翻红,最终收涨0.9%,报1,142美元。此举发生在纳斯达克综合指数上涨逾2%之际,在所谓“Magnificent 7(七巨头)”相关疲弱拖累后,带动半导体板块回升。早前的抛压源于三星电子与SK海力士宣布新增产能,同时一宗集体诉讼浮出水面,指控美光、三星与SK海力士在DRAM上涉价格操纵。

该诉讼于周四(6月25日)在加州联邦法院提出,指称三家公司在AI热潮期间限制DRAM供应,并援引DRAM价格在四年内上涨500%至700%。另据报道,韩国公布高达5,180亿美元的官民合作半导体扩张计划,三星与SK海力士各自计划在该国西南部兴建两座晶圆厂。Jefferies预测,存储器价格在下一季可能上涨40%至50%,随后一季再涨30%至40%。美光盘中最低触及1,023美元,市值摆动幅度逾10%;市场引用的技术位包括960至1,000美元区间、818美元,以及潜在上破1,400美元的情境;对应参考日期包括5月1日、5月19日、6月9日与6月24日。

技术信号与期权市场动态

我们将美光昨日盘中高达10%的大幅反转视为重要技术信号。该股在下行趋势线附近获得强力支撑,自5月以来已多次出现类似情形。这显示逢低买盘仍然非常活跃,短线向上趋势依旧完好。

市场正在为大幅波动定价,这对期权交易者而言正合适。美光期权30天隐含波动率已飙升至65%以上,较上月约40%的平均水平明显上升。我们视之为机会:与其只押注方向,不如交易预期中的价格摆动。

短期内,我们认为走势偏上,原因在于存储器市场供给极度吃紧。TrendForce近期报告指出,AI服务器关键的HBM芯片需求预计将同比增长150%,支撑近端存储器价格上涨40%或以上的预测。因此,买入未来三至六个月到期的看涨期权,是把握股价朝1,400美元目标推进的具吸引力策略。

供给周期变化与长期风险

不过,我们也必须为周期反转做准备。韩国新增四座晶圆厂的宣布,是未来数年供给将大幅增加的明确信号。我们仍记得2017至2018年的上一轮存储器超级周期,其后一年DRAM价格几乎崩跌80%;因此我们买入2028年到期的长期看跌期权作为对冲。

价格操纵诉讼同样构成重大长期风险,而市场目前可能尚未充分计价。这并非该行业首次面对类似指控:2000年代初的一宗重大案件曾导致行业主要厂商合计被罚逾7.3亿美元。任何迹象显示这次新诉讼进展升温,都应被视为增加偏空部位的信号。

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