تدرس شركة سامسونج للإلكترونيات استثمارًا بقيمة 7 مليارات دولار في مصنع تغليف متقدم يركز على الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي في الولايات المتحدة. سيتم إنشاء هذا المرفق بالقرب من مصنع تصنيع الرقائق الحالي لشركة سامسونج في تايلور، تكساس، مما يعزز دورها في سلسلة توريد رقائق الذكاء الاصطناعي.
بالتزامن مع ذلك، تدرس شركة SK Hynix خيار بناء خط إنتاج جديد للـ DRAM في الولايات المتحدة. قد يتجاوز هذا التوسع مرفق التغليف المتقدم المخطط له في إنديانا، والذي يحظى بدعم من قانون الرقائق.
تُظهر هذه التطورات جهود صانعي الرقائق الكوريين الجنوبيين لتوسيع وجودهم في الولايات المتحدة وسط تنامي الطلب على أشباه الموصلات الخاصة بالذكاء الاصطناعي. يتم تشجيع هذه المبادرات أيضًا من خلال استراتيجيات الحكومة الأمريكية التي تهدف إلى توطين سلاسل توريد أشباه الموصلات.
تُعد هذه الأخبار مؤشرة قوية لصناعة أشباه الموصلات، وخاصة لمُنتجي الذاكرة. إن هذه الخطوة إلى الولايات المتحدة تشير إلى التزام عميق بتأمين قطعة من سوق البنية التحتية للذكاء الاصطناعي الذي يتوسع باستمرار.
تأتي هذه الأخبار بصفة خاصة قوية في سياق منتصف عام 2025 حيث يستمر الطلب على الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي في تجاوز العرض. أشارت التحليلات الصناعية الأخيرة من الربع الثاني من عام 2025 إلى أن الطلب على الذاكرة المتقدمة سينمو بنسبة 40٪ أخرى في عام 2026، مدعومًا بمسرعات الذكاء الاصطناعي من الجيل المقبل. هذه المرافق الأمريكية المحتملة هي محاولة مباشرة للاستفادة من هذا النمو المستقبلي وتقليل مخاطر سلاسل التوريد لعملاء أمريكيين رئيسيين.
بالنظر إلى البيانات التاريخية، نتذكر الارتفاعات الكبيرة في الأسهم في أواخر عام 2023 وطوال عام 2024 عندما تم الإعلان عن التمويل الأولي لقانون الرقائق. ينبغي أن نتوقع نمطًا مشابهًا يؤدي إلى زيادة التقلبات الضمنية في الأسابيع المقبلة للأسهم المرتبطة بهذه الإعلانات.
